发明授权
- 专利标题： 一种射频开关ESD系统
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申请号： CN201810800636.2申请日： 2018-07-20
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公开(公告)号： CN109104173B公开(公告)日： 2022-05-10
- 发明人: 戴若凡
- 申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- 专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- 主分类号： H03K17/08
- IPC分类号： H03K17/08
摘要：
本发明公开了一种射频开关ESD系统，包括控制模块、滤波器、射频模块及ESD设计，本发明于所述射频模块的天线‑射频地增加正反双向RF ESD泄放通路，以降低射频开关器件ESD通路间开启电压差，缓解了ESD竞争，增强了ESD能力，本发明还通过在去耦合LPF两端增加钳位保护ESD泄放电路，以保护模拟及数字电路器件安全。
公开/授权文献
- CN109104173A 一种射频开关ESD系统 公开/授权日：2018-12-28
