Invention Publication
CN109148891A 一种纳米多孔铜-硅负极片及其制备方法
无效 - 驳回
- Patent Title: 一种纳米多孔铜-硅负极片及其制备方法
- Patent Title (English): Nanoporous copper-silicon negative electrode sheet and preparation method thereof
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Application No.: CN201810886567.1Application Date: 2018-08-06
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Publication No.: CN109148891APublication Date: 2019-01-04
- Inventor: 赵伟 , 李素丽 , 唐伟超 , 徐延铭 , 李俊义
- Applicant: 珠海光宇电池有限公司
- Applicant Address: 广东省珠海市斗门区新青科技工业园珠峰大道九号
- Assignee: 珠海光宇电池有限公司
- Current Assignee: 珠海光宇电池有限公司
- Current Assignee Address: 广东省珠海市斗门区新青科技工业园珠峰大道九号
- Agency: 广东朗乾律师事务所
- Agent 杨焕军
- Main IPC: H01M4/66
- IPC: H01M4/66 ; H01M4/80 ; H01M4/38 ; H01M4/04 ; H01M4/134 ; H01M10/0525 ; B82Y30/00

Abstract:
一种纳米多孔铜‑硅负极片及其制备方法,该纳米多孔铜‑硅负极片包括:集流体基体,所述集流体基体上具有若干纳米微孔,所述纳米微孔内沉积有硅。制备时,将铜合金箔进行预处理,去除铜合金箔中的非铜成分,得到具有若干纳米微孔的纳米多孔铜集流体;将纳米微孔铜集流体以化学气相沉积的方法进行硅沉积,得到纳米多孔铜‑硅负极片。本发明方法的纳米多孔铜‑硅负极片,可以提升电池的能量密度得到了提升,而且提高了循环性能,充电前后负极片的厚度膨胀也得到了改善。
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