本发明涉及量子级联激光器、发光设备、制作量子级联激光器的方法。量子级联激光器包括：激光器结构，所述激光器结构包括第一区、第二区和第三区，第一区具有端面；高比电阻区，所述高比电阻区被设置在第一区和第二区上；金属层，所述金属层被设置在第三区上；介电膜，所述介电膜被设置在端面和高比电阻区上；以及反射金属膜，所述反射金属膜被设置在介电膜、端面和高比电阻区上。第一至第三区被依次布置在第一轴的方向上。激光器结构具有在第二区与第三区之间的边界上的台阶，并且激光器结构包括半导体台面和导电基部。半导体台面具有芯层，并且导电基部用于安装半导体台面。高比电阻区具有比导电基部的比电阻大的比电阻。