发明公开
- 专利标题: 一种高效回收金刚线切割硅粉制备太阳能级多晶硅的方法
- 专利标题(英): Method for preparing solar grade polycrystalline silicon by efficiently recovering diamond wire cutting silicon powder
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申请号: CN201811268276.2申请日: 2018-10-29
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公开(公告)号: CN109161963A公开(公告)日: 2019-01-08
- 发明人: 谭毅 , 卢通
- 申请人: 大连颐和顺新材料科技有限公司
- 申请人地址: 辽宁省大连市高新技术产业园区广贤路131号科创大厦4层
- 专利权人: 大连颐和顺新材料科技有限公司
- 当前专利权人: 大连颐和顺新材料科技有限公司
- 当前专利权人地址: 辽宁省大连市高新技术产业园区广贤路131号科创大厦4层
- 代理机构: 大连博晟专利代理事务所
- 代理商 朱国芳
- 主分类号: C30B28/08
- IPC分类号: C30B28/08 ; C30B29/06
摘要:
本发明涉及多晶硅回收技术,提出了一种高效回收金刚线切割硅粉制备太阳能级多晶硅的方法。首先,对硅粉废料进行预处理,再采用高能量密度的加热方式对硅粉废料进行造粒,之后对造粒后的硅块进行真空定向凝固,最后对硅锭进行电子束熔炼。本发明采用激光或电弧加热方式,由于具有能量密度高的特点,可以使一定区域内的超细硅粉在未来得及发生严重氧化的前提下,瞬间熔化并快速凝结成具有一定体积的硅块。高能量密度造粒过程,硅的出成率>95%,显著提高了后续熔炼过程的填充效率,降低成本。同时,本发明进一步结合真空定向凝固杂质的分凝作用和电子束熔炼去除P、O等易挥发性杂质,可以更加有效地提高杂质的去除率,最终得到太阳能级多晶硅。
IPC分类: