本发明公开铜铟镓硒薄膜太阳能电池电极，包括玻璃基板，玻璃基板顶面由下至上依次层叠有第一阻挡层、金属层、内Mo层、第二阻挡层与外Mo层；第一阻挡层为厚度10～200nm的SiN膜层或SiOxNy膜层；金属层为厚度20～200nm的Al层或Cu层；第二阻挡层为厚度5～50nm的MoN膜层或TiN膜层；内Mo层的厚度为100～800nm，所述外Mo层的厚度为20～200nm；通过磁控溅射工艺在玻璃基板表面溅镀各膜层即得到本电极，电极在有效降低铜铟镓硒薄膜电池成本的同时，更进一步提高了薄膜电池的性能，且工艺简单，制备方便。