发明授权
- 专利标题： 半导体结构及其制造方法
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申请号： CN201710994380.9申请日： 2017-10-23
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公开(公告)号： CN109285834B公开(公告)日： 2020-10-30
- 发明人: 林正平 , 施江林 , 施信益
- 申请人： 南亚科技股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新北市
- 专利权人： 南亚科技股份有限公司
- 当前专利权人： 南亚科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新北市
- 代理机构： 隆天知识产权代理有限公司
- 代理商 李昕巍; 章侃铱
- 优先权： 15/656,668 2017.07.21 US
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108 ; H01L21/8242
摘要：
本公开提供一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包含一基板，该基板具有一存储器阵列区与一周边电路区；多个第一线图案位于该存储器阵列区中且沿着一第一方向延伸；多个第二线图案位于该存储器阵列区中的所述第一线图案上方；以及多个线性元件位于该周边电路区中。该多个第二线图案沿着一第二方向延伸，该第二方向不同于该第一方向。该多个线图案与该多个线性元件实质位于该基板中的相同阶层。
公开/授权文献
- CN109285834A 半导体结构及其制造方法 公开/授权日：2019-01-29
IPC分类:
