半导体装置、pH传感器、生物传感器以及半导体装置的制造方法

Invention Grant

CN109314146B 半导体装置、pH传感器、生物传感器以及半导体装置的制造方法有权

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Patent Title: 半导体装置、pH传感器、生物传感器以及半导体装置的制造方法
Application No.: CN201780036095.4

Application Date: 2017-07-20
Publication No.: CN109314146B

Publication Date: 2022-12-27
Inventor: 中积诚 , 西康孝
Applicant: 株式会社尼康
Applicant Address: 日本东京都
Assignee: 株式会社尼康
Current Assignee: 株式会社尼康
Current Assignee Address: 日本东京都
Agency: 北京三友知识产权代理有限公司
Agent 庞东成; 张志楠
Priority: 2016-152721 20160803 JP
International Application: PCT/JP2017/026223 2017.07.20
International Announcement: WO2018/025647 JA 2018.02.08
Date entered country: 2018-12-10
Main IPC: H01L29/786
IPC: H01L29/786 ; G01N27/414

Abstract:

本发明提供一种半导体装置，其特征在于，该半导体装置具有第1电极、第2电极、以及与第1电极和第2电极相接的半导体层，半导体层为包含锌(Zn)和镓(Ga)的尖晶石型的氧化物。

Public/Granted literature

CN109314146A 半导体装置、pH传感器、生物传感器以及半导体装置的制造方法 Public/Granted day:2019-02-05

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Chinese Patent Announcement Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/786	......薄膜晶体管