发明公开
- 专利标题: 一种磁阻芯片温湿度影响校正补偿系统及方法
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申请号: CN201811365327.3申请日: 2018-11-16
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公开(公告)号: CN109342984A公开(公告)日: 2019-02-15
- 发明人: 明哲 , 吴质冰 , 王志明 , 李鹏 , 许爱东 , 李立浧
- 申请人: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司
- 申请人地址: 广东省广州市黄埔区科学城科翔路11号
- 专利权人: 南方电网科学研究院有限责任公司,中国南方电网有限责任公司
- 当前专利权人: 南方电网科学研究院有限责任公司,中国南方电网有限责任公司
- 当前专利权人地址: 广东省广州市黄埔区科学城科翔路11号
- 代理机构: 广州三环专利商标代理有限公司
- 代理商 麦小婵; 郝传鑫
- 主分类号: G01R35/00
- IPC分类号: G01R35/00 ; G01R33/09
摘要:
本发明公开了一种磁阻芯片温湿度影响校正补偿系统,包括可控温湿度试验箱,磁阻芯片测试台,信号采集单元,一维亥姆霍兹线圈,高精度程控电流源,磁场测试单元和标定单元;可控温湿度试验箱提供温湿度环境,待测试芯片通过磁阻芯片测试台和信号采集单元与标定单元连接;高精度程控电流源在标定单元控制下,控制一维亥姆霍兹线圈提供一维均匀磁场;磁场测试单元检测并发送一维亥姆霍兹线圈中均匀区的磁场强度至标定单元。本发明通过可控温湿度试验箱提供不同的温湿度环境,通过一维亥姆霍兹线圈为待测芯片提供均匀磁场,检测记录磁阻芯片在不同温湿度条件下的不同磁场环境中的响应情况,得到芯片的实际响应数据,完成了对芯片的数据采集。