本发明公开一种基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法，属于半导体LED芯片制造技术领域，所述基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片的制备方法包括获取氧化镓衬底，在所述氧化镓衬底上制作氮化铝镓缓冲层；在所述氮化铝镓缓冲层上制作氮化铝镓材料层；在所述氮化铝镓材料层上制作多量子阱结构层；在所述多量子阱结构层上制作电子阻挡层；在所述电子阻挡层上制作P型薄膜层，以制备所述基于n型掺杂氧化镓的深紫外LED垂直芯片。本发明达到无需对LED外延片的衬底材料进行剥离，便于制备深紫外LED垂直芯片的技术效果。