发明授权
- 专利标题： 薄膜堆叠体
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申请号： CN201680086836.5申请日： 2016-09-26
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公开(公告)号： CN109414932B公开(公告)日： 2021-08-13
- 发明人: 陈之章 , M·S·沙拉维 , J·塞尔斯
- 申请人： 惠普发展公司 , 有限责任合伙企业
- 申请人地址： 美国德克萨斯州
- 专利权人： 惠普发展公司,有限责任合伙企业
- 当前专利权人： 惠普发展公司,有限责任合伙企业
- 当前专利权人地址： 美国德克萨斯州
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 马蔚钧; 杨思捷
- 国际申请： PCT/US2016/053697 2016.09.26
- 国际公布： WO2018/057028 EN 2018.03.29
- 进入国家日期： 2018-12-14
- 主分类号： B41J2/135
- IPC分类号： B41J2/135 ; C23C4/04 ; C23C4/134 ; B41J2/335 ; B41J2/345
摘要：
薄膜堆叠体可以包括厚度为200埃至5000埃的金属基底和以600埃至1650埃的厚度设置在该金属基底上的钝化阻挡层。该钝化阻挡层可以包括介电层和设置在该介电层上的原子层沉积(ALD)层。该介电层可以具有550至950埃的厚度。该ALD层可以具有50至700埃的厚度。
公开/授权文献
- CN109414932A 薄膜堆叠体 公开/授权日：2019-03-01
IPC分类:
