本发明提供了一种优化型大直径区熔硅单晶收尾方法，包括：S1、根据单晶规格，多晶料剩余长度到达设定阈值时，打开收尾程序；S2、当单晶直径收细到201mm后，更改单晶下速和多晶上速、以及功率，单晶直径逐渐从201mm收细至198mm，单晶熔体与多晶硅熔体液面逐渐脱离；S3、单晶熔体与多晶硅熔体液面脱离后，功率设定值保持不变，对单晶下速和多晶上速进行调节；S4、到达设定时间后，进行降温，单晶下速和多晶上速与步骤S3中的速度相同，降温时间到达设定值后，关闭系统，拆取单晶。本发明所述的优化型大直径区熔硅单晶收尾方法实现大直径区熔单晶收尾的高效稳定操作，减少质量损失，是大直径区熔硅单晶规模生产技术领域需要改进的问题。