发明公开
- 专利标题: 一种中纬地区偶发E层短波场强的计算方法
- 专利标题(英): Method for calculating accidental E-layer short wave field strength of mid-latitude region
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申请号: CN201811462155.1申请日: 2019-01-05
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公开(公告)号: CN109490641A公开(公告)日: 2019-03-19
- 发明人: 陈春 , 班盼盼 , 王保健 , 盛冬生 , 王飞飞
- 申请人: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)
- 申请人地址: 山东省青岛市城阳区仙山东路36号
- 专利权人: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)
- 当前专利权人: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)
- 当前专利权人地址: 山东省青岛市城阳区仙山东路36号
- 代理机构: 北京中济纬天专利代理有限公司
- 代理商 孙静雅
- 主分类号: G01R29/08
- IPC分类号: G01R29/08
摘要:
本发明公开了一种中纬地区偶发E层短波场强的计算方法,包括如下步骤:步骤A:根据收发点位置信息计算短波链路的大圆距离和反射点位置及其电子回旋频率,根据等效定理计算电波辐射仰角;步骤B:依托国防科技工业电波环境观测站,获取反射点处电离层垂直探测图和电离层斜向探测图;步骤C:若反射点处无直接观测的电离层foE、foEs,首先将斜向探测的MUFEs值转换为斜测链路中间点处的foEs值;步骤D:根据短波通信特点来确定强Es发生条件,计算反射点处的电离层吸收损耗,进而计算出偶发E层的场强。本发明所公开中纬地区偶发E层短波场强的计算方法,能够综合利用电离层垂测和斜测数据,计算得到反射点处的foEs值。
公开/授权文献
- CN109490641B 一种中纬地区偶发E层短波场强的计算方法 公开/授权日:2020-12-08