发明公开
- 专利标题: 基于MOS2膜片的光纤法珀式局部放电检测装置及方法
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申请号: CN201811634295.2申请日: 2018-12-29
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公开(公告)号: CN109490731A公开(公告)日: 2019-03-19
- 发明人: 钱国超 , 彭庆军 , 张知先 , 陈伟根 , 万福 , 马仪 , 程志万 , 周仿荣 , 邹德旭 , 黄星 , 洪志湖 , 刘光祺 , 颜冰
- 申请人: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
- 申请人地址: 云南省昆明市经济技术开发区云大西路105号
- 专利权人: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
- 当前专利权人: 云南电网有限责任公司电力科学研究院
- 当前专利权人地址: 云南省昆明市经济技术开发区云大西路105号
- 代理机构: 北京弘权知识产权代理事务所
- 代理商 逯长明; 许伟群
- 主分类号: G01R31/12
- IPC分类号: G01R31/12
摘要:
本申请公开了一种基于MOS2膜片的光纤法珀式局部放电检测装置及方法,该装置包括第一激光器、第二激光器、第一波分复用器、法珀干涉腔、第二波分复用器及数据采集卡,其中,第一、二激光器分别与第一波分复用器的输入端连接,第一波分复用器的输出端与法珀干涉腔连接;法珀干涉腔包括MOS2膜片与光纤,第一激光器通过光纤与MOS2膜片连接;光纤内设有干涉腔,MOS2膜片与光纤的端面固定连接,MOS2膜片朝向光纤端面的一侧设有金膜;第二波分复用器的输入端与法珀干涉腔连接,其输出端与数据采集卡连接。本申请提供的检测装置采用超薄的MOS2膜片,在MOS2膜片表面上镀覆金膜,提高了膜片的反射率,极大地提高了检测灵敏度。