- 专利标题： 一种基于GaAs pHEMT工艺的中频放大器
-
申请号： CN201811600161.9申请日： 2018-12-26
-
公开(公告)号： CN109525203B公开(公告)日： 2024-03-22
- 发明人: 蒋一帆
- 申请人： 南京米乐为微电子科技有限公司
- 申请人地址： 江苏省南京市江宁区秣周东路9号
- 专利权人： 南京米乐为微电子科技有限公司
- 当前专利权人： 南京米乐为微电子科技有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省南京市江宁区秣周东路9号
- 代理机构： 南京苏高专利商标事务所
- 代理商 柏尚春
- 主分类号： H03F1/26
- IPC分类号： H03F1/26 ; H03F1/34 ; H03F3/68 ; H03G3/30
摘要：
本发明公开了一种基于GaAs pHEMT工艺的中频放大器，包括：输入匹配单元、共源共栅放大单元、输出匹配单元和反馈单元；输入匹配单元、共源共栅放大单元和输出匹配单元依次相连，反馈单元设置在输入匹配单元和输出匹配单元之间，利用集总的方式防止了远超工作带外的谐振可能性。本发明的中频放大器可以在30MHz‑200MHz的频段内实现>24dB的高增益；在整个微波射频频段内实现绝对稳定，而不需要添加额外片外稳定电路，简化了布版；在30MHz‑200MHz的频段内实现
公开/授权文献
- CN109525203A 一种基于GaAs pHEMT工艺的中频放大器 公开/授权日：2019-03-26
