利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明授权
CN109545965B 基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料及其制备方法与电存储器件 有权

  • 专利标题： 基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料及其制备方法与电存储器件
  • 申请号： CN201811362521.6
    申请日： 2018-11-15
  • 公开(公告)号： CN109545965B
    公开(公告)日： 2022-05-13
  • 发明人: 路建美 , 贺竞辉
  • 申请人： 苏州大学
  • 申请人地址： 江苏省苏州市相城区济学路8号
  • 专利权人： 苏州大学
  • 当前专利权人： 苏州大学
  • 当前专利权人地址： 江苏省苏州市相城区济学路8号
  • 主分类号： H01L51/05
  • IPC分类号： H01L51/05 ;  H01L51/30 ;  H01L51/40
基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料及其制备方法与电存储器件
摘要：
本发明公开了基于单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物的电存储材料及器件的制备。针对目前制备过程复杂、有机化合物分子不易成膜及在柔性器件应用受限等问题，本发明利用单宁酸和铁(Ⅲ)配位化合物制成简单的三明治有机电存储器件，成功实现了有机电存储行为。在制备实验过程中，实现了分子的合成和器件的制备过程，而且所制备的柔性基底器件对于有机电存储在未来柔性器件的应用方面具有很大的实用价值，这大大拓宽了有机电存储器件的应用领域。
公开/授权文献
0/0