发明公开
- 专利标题: 利用光电发射的无氪-85的火花隙
- 专利标题(英): KRYPTON-85-FREE SPARK GAP WITH PHOTO-EMISSION
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申请号: CN201780050425.5申请日: 2017-07-07
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公开(公告)号: CN109565155A公开(公告)日: 2019-04-02
- 发明人: J·D·迈克尔 , J·F·特罗特 , M·拉曼尼 , T·J·索默勒 , K·尤恩斯
- 申请人: 通用电气公司
- 申请人地址: 美国纽约州
- 专利权人: 通用电气公司
- 当前专利权人: 通用电气公司
- 当前专利权人地址: 美国纽约州
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理商 汪骏飞; 侯颖媖
- 优先权: 15/239,561 2016.08.17 US
- 国际申请: PCT/US2017/041104 2017.07.07
- 国际公布: WO2018/034743 EN 2018.02.22
- 进入国家日期: 2019-02-15
- 主分类号: H01T1/20
- IPC分类号: H01T1/20 ; F02P23/04 ; H01T2/00 ; H01T4/10 ; H02H9/06
摘要:
公开了一种用于在不存在85Kr的情况下在火花隙(100)处生成种子电子的方法。本方法利用光电效应,使用具有特定标称波长(或波长范围)的光源(120)在特定发射通量水平下生成种子电子。提供了一种火花隙(100)设备,其包括:第一电极(104),具有第一表面;以及第二电极(102),具有偏离并面向所述第一表面的第二表面。所述火花隙进一步包括光源(120),所述光源被配置成朝向至少所述第一表面发射光,使得当操作所述火花隙时由所述光源发射的光子入射在所述第一表面上,并且引起来自所述第一表面的电子发射。
公开/授权文献
- CN109565155B 利用光电发射的无氪-85的火花隙 公开/授权日:2020-11-10