发明公开
CN109586575A 虚拟参数高压侧MOSFET驱动器
失效 - 权利终止
- 专利标题： 虚拟参数高压侧MOSFET驱动器
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申请号： CN201810814682.8申请日： 2011-11-08
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公开(公告)号： CN109586575A公开(公告)日： 2019-04-05
- 发明人: M·塔莱弗斯 , B·沙菲波尔
- 申请人： 弗莱克斯电子有限责任公司
- 申请人地址： 美国科罗拉多州
- 专利权人： 弗莱克斯电子有限责任公司
- 当前专利权人： 弗莱克斯电子有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国科罗拉多州
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理商 王茂华; 庞淑敏
- 优先权： 12/942,265 2010.11.09 US
- 主分类号： H02M3/335
- IPC分类号： H02M3/335
摘要：
提供了一种供电设备、调节方法和虚拟参数高压侧MOSFET驱动器。转换器电路包括初级开关元件和辅助开关元件。辅助开关元件用于传送反射电压信号。变压器包括初级和次级，初级与转换器电路耦合。转换器电路包括初级开关和辅助开关，用于选择性地确定谐振频率。辅助开关由具有独立电源的驱动器启用，从而允许如所需的那么强的驱动器来驱动大的辅助开关。
公开/授权文献
- CN109586575B 虚拟参数高压侧MOSFET驱动器 公开/授权日：2021-08-24
IPC分类:
