发明授权
- 专利标题： 一种镉(II)离子印迹复合膜的制备方法
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申请号： CN201811462150.9申请日： 2018-12-03
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公开(公告)号： CN109589799B公开(公告)日： 2021-10-22
- 发明人: 成会玲 , 胡德琼 , 刘迎梅 , 赵莉 , 陈树梁 , 王朝武 , 陈云龙 , 何易 , 字富庭 , 胡显智
- 申请人： 昆明理工大学
- 申请人地址： 云南省昆明市五华区学府路253号
- 专利权人： 昆明理工大学
- 当前专利权人： 昆明理工大学
- 当前专利权人地址： 云南省昆明市五华区学府路253号
- 主分类号： B01D67/00
- IPC分类号： B01D67/00 ; B01D69/12 ; B01D61/14 ; B01J20/26 ; B01J20/30 ; C02F1/44 ; C02F1/28 ; C02F101/20
摘要：
本发明公开一种镉(II)离子印迹复合膜的制备方法，属于膜材料科学技术领域。本发明所述方法以镉(II)离子为模板离子，化合物N‑(乙基吡咯烷基)‑2‑甲基丙烯酰胺为功能单体，市售膜为支撑膜，以金属离子印迹技术为手段，制备得到镉(II)离子印迹复合膜Cd(II)‑MICM。本发明制备得到的镉(II)离子印迹复合膜对镉(II)离子具有较好的吸附能力和优异的印迹效果。
公开/授权文献
- CN109589799A 一种镉(II)离子印迹复合膜的制备方法 公开/授权日：2019-04-09
