发明授权
- 专利标题: 静电放电保护电路及其结构和工作方法
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申请号: CN201710920028.0申请日: 2017-09-30
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公开(公告)号: CN109599387B公开(公告)日: 2020-06-09
- 发明人: 谷欣明 , 陈捷 , 王妉
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江路18号;
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江路18号;
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 徐文欣; 吴敏
- 主分类号: H01L23/60
- IPC分类号: H01L23/60 ; H01L27/02
摘要:
本发明提供一种静电放电保护电路及其结构和工作方法,其中电路包括:第一电路,第一电路包括第一MOS晶体管、第一电阻和第一电容,所述第一电阻两端分别与第一MOS晶体管的源极和栅极连接,第一电容两端分别与第一MOS晶体管的栅极和漏极连接;第二电路,第二电路包括第二MOS晶体管、第二电阻和第二电容,第二电阻两端分别与第二MOS晶体管的栅极和源极连接,第二电容两端分别与第二MOS晶体管的漏极和栅极连接。静电放电电路的保持电压较高,从而能够使静电释放之后,静电放电电路能够关闭,从而不容易影响需要保护的芯片的正常工作。同时,静电放电保护电路的触发电压较低,从而能够使静电放电保护电路容易导通,进而能够增强对需要保护的芯片的保护性能。
公开/授权文献
- CN109599387A 静电放电保护电路及其结构和工作方法 公开/授权日:2019-04-09
IPC分类: