发明授权
- 专利标题： 一种降低掺镁氧化锌薄膜电阻率的方法
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申请号： CN201811487573.6申请日： 2018-12-06
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公开(公告)号： CN109599470B公开(公告)日： 2020-08-25
- 发明人: 王德亮 , 王东明 , 王光伟 , 蔡彦博
- 申请人： 中国科学技术大学
- 申请人地址： 安徽省合肥市包河区金寨路96号
- 专利权人： 中国科学技术大学
- 当前专利权人： 中国科学技术大学
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市包河区金寨路96号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 赵青朵
- 主分类号： H01L33/28
- IPC分类号： H01L33/28 ; H01L33/00 ; H01L31/18 ; H01L31/0296
摘要：
本发明提供了一种降低掺镁氧化锌薄膜电阻率的处理方法，包括以下步骤：将掺镁氧化锌薄膜进行真空热处理；所述真空热处理在保护气体气氛下进行；所述真空热处理的气压为0.1～100Pa，温度为400～1000℃，时间为5～120min。本发明将掺镁氧化锌薄膜在低真空保护气氛下进行真空热处理，可以大幅度提高薄膜内的载流子浓度，使得薄膜的电阻率显著降低。同时具有较高的透光率。
公开/授权文献
- CN109599470A 一种降低掺镁氧化锌薄膜电阻率的方法 公开/授权日：2019-04-09
IPC分类:
