用于生产薄无机膜的方法
摘要:
本发明属于在基材上生产薄无机膜的方法,特别是原子层沉积方法的领域。本发明涉及一种生产无机膜的方法,该方法包括使通式(I)化合物沉积至固体基材上,其中M为Mn、Ni或Co,X为与M配位的配体,n为0、1、2、3或4,R1为烷基、链烯基、芳基、卤素或甲硅烷基,R2为烷基、链烯基、芳基或甲硅烷基,p和q为1或2,其中p+q=3,和m为1、2或3。
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