Invention Publication
- Patent Title: 化合物半导体及其制造方法以及氮化物半导体
- Patent Title (English): COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR
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Application No.: CN201780053614.8Application Date: 2017-06-01
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Publication No.: CN109643645APublication Date: 2019-04-16
- Inventor: 藤冈洋 , 上野耕平
- Applicant: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
- Applicant Address: 日本埼玉县
- Assignee: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
- Current Assignee: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
- Current Assignee Address: 日本埼玉县
- Agency: 北京博雅睿泉专利代理事务所
- Agent 石伟
- Priority: 2016-169994 2016.08.31 JP
- International Application: PCT/JP2017/020513 2017.06.01
- International Announcement: WO2018/042792 JA 2018.03.08
- Date entered country: 2019-02-28
- Main IPC: H01L21/20
- IPC: H01L21/20 ; C23C14/06 ; C23C14/34 ; H01L21/203 ; H01L21/338 ; H01L29/778 ; H01L29/786 ; H01L29/812 ; H01L33/32 ; H01S5/042 ; H01S5/183 ; H01S5/343
Abstract:
本发明的化合物半导体具有5×1019cm-3以上的高电子浓度，显示46cm2/V·s以上的电子迁移率，且显示低电阻性，由此构成高性能的半导体器件。根据本发明，提供一种能在室温～700℃下在大面积的衬底上成膜的n型导电型13族氮化物半导体。
Public/Granted literature
- CN109643645B 化合物半导体及其制造方法以及氮化物半导体 Public/Granted day:2023-02-28
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IPC分类:
