发明授权
- 专利标题: 一种柔性薄膜电极及其制备方法
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申请号: CN201710951179.2申请日: 2017-10-13
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公开(公告)号: CN109671534B公开(公告)日: 2020-01-07
- 发明人: 邓元 , 申胜飞 , 祝薇 , 彭云成 , 孔锡霞 , 徐爽
- 申请人: 北京航空航天大学
- 申请人地址: 北京市海淀区学院路37号
- 专利权人: 北京航空航天大学
- 当前专利权人: 北京航空航天大学杭州创新研究院
- 当前专利权人地址: 北京市海淀区学院路37号
- 代理机构: 北京永创新实专利事务所
- 代理商 姜荣丽
- 主分类号: H01B13/00
- IPC分类号: H01B13/00 ; H01B5/14
摘要:
本发明公开了一种柔性薄膜电极及其制备方法,属于柔性电极技术领域。本发明首先在预处理后的SiO2+Si基底上进行Cu薄膜电极的溅射沉积;然后将Cu薄膜电极向柔性基底上的转印,得到柔性薄膜电极。通过本发明可以高效、简易地在PET、PI柔性基底上制备出Cu薄膜电极。本发明利用应力诱导微剥离,通过调节溅射基底温度和薄膜厚度弱化了Cu薄膜电极在SiO2+Si基底表面的结合力,并调控了Cu薄膜电极表面的微纳结构,优化了Cu薄膜电极电阻率。通过本发明制备的PET、PI基柔性薄膜电极的电阻率低至3.2×10‑8Ωm。
公开/授权文献
- CN109671534A 一种柔性薄膜电极及其制备方法 公开/授权日:2019-04-23