本发明提供了一种高压直流断路器中IGBT器件可靠性评估方法和装置，将获取的电容放电曲线和流过半导体模块中IGBT器件的电流曲线分别代入预先构建的仿真模型，分别得到半导体单元和半导体模块中IGBT器件的评估参数；基于半导体单元中IGBT器件的评估参数和半导体模块中IGBT器件的评估参数对半导体模块中IGBT器件的可靠性进行评估；评估参数包括结温曲线、关断时刻和最高结温，仿真模型包括半导体单元。本发明得到的可靠性评估结果准确性高，能够准确反映仿真模型中IGBT器件在关断时刻的结温和电流值和直流断路器中IGBT器件在实际工况下的关断时刻的结温和电流值，为验证直流断路器中IGBT器件是否能够满足直流断路器特殊工况的要求提供基础，且简单易行，易于实现。