本发明公开了一种采用高反膜提高GaN基集成波导的光耦合效率的方法，属于半导体技术领域。本方法主要针对GaN基集成波导光损耗问题，提出采用高反膜来提高GaN基集成波导的光耦合效率。包括以下关键步骤：多量子阱脊形光波导结构设计、GaN材料生长、多量子阱InGaN/GaN结构的生长、电极套制技术、多量子阱LED侧面镀高反膜等关键技术。通过本发明能够有效提高集成波导的光耦合效率，为提高GaN基集成波导光耦合效率提供了有效途径。本发明工艺简单，成本低廉，具有广阔的应用前景。