发明授权
- 专利标题: 一种测试结构、半导体器件
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申请号: CN201910016020.0申请日: 2019-01-08
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公开(公告)号: CN109727956B公开(公告)日: 2020-11-13
- 发明人: 杨盛玮 , 韩坤
- 申请人: 长江存储科技有限责任公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
- 专利权人: 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人: 长江存储科技有限责任公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号7018室
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 赵秀芹; 王宝筠
- 主分类号: H01L23/544
- IPC分类号: H01L23/544 ; H01L27/092 ; G01R31/00
摘要:
本申请公开了一种测试结构以及包含该测试结构的半导体器件。该测试结构包括:衬底、测试栅极、介电材料层。衬底上具有隔离结构,测试栅极位于隔离结构之上。介电材料层覆盖衬底和测试栅极,介电材料层内设置有第一测试端和第二测试端。如此,在该测试结构的测试栅极的侧面形成有介电材料层。当向位于介电材料层内的第一测试端和第二测试端施加测试信号后,由于测试栅极位于隔离结构之上,而且在隔离结构内部不会出现漏电流,如此,可以测量出测试栅极侧面的介电材料层的可靠性。
公开/授权文献
- CN109727956A 一种测试结构、半导体器件 公开/授权日:2019-05-07
IPC分类: