- 专利标题: 一种连续测量IGBT芯片输出曲线的装置及方法
- 专利标题(英): Device and method for continuously measuring output curve of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip
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申请号: CN201910084809.X申请日: 2019-01-29
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公开(公告)号: CN109752638A公开(公告)日: 2019-05-14
- 发明人: 彭程 , 顾妙松 , 杨艺烜 , 赵志斌 , 崔翔 , 李学宝 , 唐新灵
- 申请人: 华北电力大学
- 申请人地址: 北京市昌平区回龙观镇北农路2号
- 专利权人: 华北电力大学
- 当前专利权人: 华北电力大学
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区回龙观镇北农路2号
- 代理机构: 北京高沃律师事务所
- 代理商 程华
- 主分类号: G01R31/26
- IPC分类号: G01R31/26
摘要:
本发明公开一种连续测量IGBT芯片输出曲线的装置及方法。所述装置包括电容,电感,被测IGBT,辅助IGBT,续流二极管,负载电阻,直流电压源,驱动脉冲生成器,电流测量装置和电压测量装置。所述方法基于电感充放电电路,通过一次充放电过程为被测IGBT提供连续变化的电流,同时测量IGBT的电流和电压,即可以得到被测IGBT芯片的整条输出曲线,达到简单、快速测量IGBT芯片输出曲线的效果。
公开/授权文献
- CN109752638B 一种连续测量IGBT芯片输出曲线的装置及方法 公开/授权日:2020-03-31