发明公开
CN109775758A 一种大层距五氧化二钒的制备方法
无效 - 撤回
- 专利标题: 一种大层距五氧化二钒的制备方法
- 专利标题(英): Preparation method of large-layer spacing vanadium pentoxide
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申请号: CN201811600941.3申请日: 2018-12-26
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公开(公告)号: CN109775758A公开(公告)日: 2019-05-21
- 发明人: 宁凡雨 , 丁飞 , 王泽深 , 宗军 , 刘兴江 , 倪旺 , 许寒 , 刘胜男
- 申请人: 中国电子科技集团公司第十八研究所
- 申请人地址: 天津市滨海新区滨海高新技术产业开发区华科七路6号
- 专利权人: 中国电子科技集团公司第十八研究所
- 当前专利权人: 中国电子科技集团公司第十八研究所
- 当前专利权人地址: 天津市滨海新区滨海高新技术产业开发区华科七路6号
- 代理机构: 天津市鼎和专利商标代理有限公司
- 代理商 李凤
- 主分类号: C01G31/02
- IPC分类号: C01G31/02
摘要:
本发明公开了一种大层距五氧化二钒的制备方法,将五氧化二钒和伯胺插层物按摩尔比为(1~2):1混合,加入无水乙醇搅拌均匀,然后加入去离子水继续搅拌,搅拌均匀后将混合物转移至聚四氟乙烯内衬不锈钢高压反应釜中,在160~180℃,反应120~168h,待冷却至室温后,所得黑色产物用无水乙醇和已烷离心洗涤,烘干、研磨得到大层距五氧化二钒。本发明通过溶剂热法将长链有机伯烷胺插层进入五氧化二钒层间,扩大其层间距,五氧化二钒的层间距可通过该改变有机物链长调节。这种大层距五氧化二钒具有优异的理化性质,具有极为广阔的应用前景。