发明公开
- 专利标题: 一种压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统
- 专利标题(英): Crimp-type power semiconductor device internal pressure distribution measurement system
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申请号: CN201910220725.4申请日: 2019-03-22
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公开(公告)号: CN109827693A公开(公告)日: 2019-05-31
- 发明人: 张一鸣 , 邓二平 , 傅实 , 任斌 , 赵志斌 , 崔翔
- 申请人: 华北电力大学
- 申请人地址: 北京市昌平区回龙观镇北农路2号
- 专利权人: 华北电力大学
- 当前专利权人: 华北电力大学
- 当前专利权人地址: 北京市昌平区回龙观镇北农路2号
- 代理机构: 北京高沃律师事务所
- 代理商 程华
- 主分类号: G01L5/00
- IPC分类号: G01L5/00
摘要:
本发明公开了一种压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统,包括集电极、发射极和子模组;集电极、子模组和发射极依次接触连接;子模组设置在集电极和发射极之间;其中,子模组包括半导体芯片、热流及电流传导结构和压力传感器,集电极、半导体芯片、热流及电流传导结构及发射极依次接触连接;压力传感器分别与热流及电流传导结构内壁底面和端面接触连接。本发明提供的压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统能够降低对压力传感器的要求,实现对任意工况下芯片压力分布情况准确测量,突破现有测量方法在正常工况条件下测量的局限性。
公开/授权文献
- CN109827693B 一种压接型功率半导体器件内部压力分布测量系统 公开/授权日:2023-09-12