发明授权
- 专利标题: 用于光电子器件的诱导掺杂的混合层
-
申请号: CN201780063518.1申请日: 2017-10-13
-
公开(公告)号: CN109844973B公开(公告)日: 2024-03-05
- 发明人: 帕特里克·巴尔科夫斯基 , 马尔钦·拉塔伊恰克
- 申请人: 伊努鲁有限公司
- 申请人地址: 德国柏林
- 专利权人: 伊努鲁有限公司
- 当前专利权人: 伊努鲁有限公司
- 当前专利权人地址: 德国柏林
- 代理机构: 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理商 钟晶; 钟海胜
- 优先权: 102016119599.5 2016.10.14 DE
- 国际申请: PCT/EP2017/076172 2017.10.13
- 国际公布: WO2018/069496 DE 2018.04.19
- 进入国家日期: 2019-04-12
- 主分类号: H10K71/13
- IPC分类号: H10K71/13 ; H10K71/30 ; H10K50/10
摘要:
本发明涉及一种包括阴极和阳极以及在阴极和阳极之间的层系统的光电子器件,所述层系统包括多个电活性层。所公开的器件可以使用其中由半导体材料的至少两个层之间产生诱导掺杂的混合层的方法来制造。
公开/授权文献
- CN109844973A 用于光电子器件的诱导掺杂的混合层 公开/授权日:2019-06-04