- 专利标题： 一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法
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申请号： CN201910081017.7申请日： 2019-01-28
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公开(公告)号： CN109860010B公开(公告)日： 2020-11-17
- 发明人: 张广帅 , 孙钧 , 吴平 , 曹亦兵 , 宋志敏 , 陈昌华
- 申请人： 西北核技术研究所
- 申请人地址： 陕西省西安市灞桥区平峪路28号
- 专利权人： 西北核技术研究所
- 当前专利权人： 西北核技术研究所
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市灞桥区平峪路28号
- 代理机构： 中国兵器工业集团公司专利中心
- 代理商 刘瑞东
- 主分类号： H01J29/54
- IPC分类号： H01J29/54
摘要：
本发明为一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法，即在圆柱漂移管z0≤z≤z1范围内，施加沿‑r方向的径向电场，在均匀磁场的约束下，电子进行拉莫尔回旋运动，经过施加局部电场的区域时，径向电场对电子做功以改变电子束径向振荡，当电子进入局部电场区域时处于径向振荡的峰值附近，且离开局部电场区域时处于径向振荡的谷值附近时，沿‑r方向的径向电场会对电子做负功，从而减小电子束的横向动量，最终达到抑制电子束径向振荡的目的。
公开/授权文献
- CN109860010A 一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法 公开/授权日：2019-06-07
