Invention Grant
- Patent Title: 一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法
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Application No.: CN201910081017.7Application Date: 2019-01-28
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Publication No.: CN109860010BPublication Date: 2020-11-17
- Inventor: 张广帅 , 孙钧 , 吴平 , 曹亦兵 , 宋志敏 , 陈昌华
- Applicant: 西北核技术研究所
- Applicant Address: 陕西省西安市灞桥区平峪路28号
- Assignee: 西北核技术研究所
- Current Assignee: 西北核技术研究所
- Current Assignee Address: 陕西省西安市灞桥区平峪路28号
- Agency: 中国兵器工业集团公司专利中心
- Agent 刘瑞东
- Main IPC: H01J29/54
- IPC: H01J29/54
Abstract:
本发明为一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法，即在圆柱漂移管z0≤z≤z1范围内，施加沿‑r方向的径向电场，在均匀磁场的约束下，电子进行拉莫尔回旋运动，经过施加局部电场的区域时，径向电场对电子做功以改变电子束径向振荡，当电子进入局部电场区域时处于径向振荡的峰值附近，且离开局部电场区域时处于径向振荡的谷值附近时，沿‑r方向的径向电场会对电子做负功，从而减小电子束的横向动量，最终达到抑制电子束径向振荡的目的。
Public/Granted literature
- CN109860010A 一种施加局部电场抑制电子束径向振荡的方法 Public/Granted day:2019-06-07
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