本发明提供一种存储阵列结构及制备方法、存储器及写入方法和读出方法，阵列结构包括：至少一个存储单元，包括叠置串联的超导器件及磁性存储器件；至少一个超导上电极，设置于存储单元上方，至少一个超导下电极，设置于存储单元下方，至少一个超导字线，设置于存储单元上方，或者设置于存储单元下方，超导字线靠近存储单元中的超导器件设置。本发明将磁性存储器件与超导集成电路有机结合，利用超导器件实现电路的开关效果，从而替代CMOS逻辑电路，可以实现存储器在低温下的工作，保证MRAM在低的工作电压下实现高速、高密度存储，基于不同的写入方式实现上述工作，形成适用于超导逻辑制程的信息读取方式，结构设计简单，有利于减少刻蚀次数。