Invention Grant
- Patent Title: 一种避免金属熔丝被过刻蚀的方法
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Application No.: CN201910144770.6Application Date: 2019-02-27
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Publication No.: CN109887901BPublication Date: 2020-11-20
- Inventor: 王乐平
- Applicant: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Applicant Address: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- Assignee: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- Current Assignee Address: 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- Agency: 上海浦一知识产权代理有限公司
- Agent 戴广志
- Main IPC: H01L23/525
- IPC: H01L23/525
Abstract:
本发明提供一种避免金属熔丝被过刻蚀的方法,提供一金属熔丝,在金属熔丝上淀积层间膜;在层间膜上形成顶部金属层,顶部金属层的上下表面分别具有氮化钛层;对顶部金属层进行刻蚀,形成焊垫和位于金属熔丝上方的保护图形;淀积钝化层后,在焊垫上方和保护图形上方定义刻蚀窗口;按照刻蚀窗口进行刻蚀用以去除焊垫上表面的氮化钛,并利用保护图形作为掩膜在保护下层熔丝的同时在金属熔丝左右打开窗口用以释放该金属熔丝烧断时产生的生成物。本发明实现了既保护金属熔丝又在金属熔丝上开窗,减低成本的同时保护了下层的金属熔丝,但是在金属熔丝的左右边缘又打开了窗口,以便金属熔丝烧断时产生的生成物及时的释放,以免聚集在原地形成短路。
Public/Granted literature
- CN109887901A 一种避免金属熔丝被过刻蚀的方法 Public/Granted day:2019-06-14
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