本发明公开了一种提高化合物半导体器件可靠性能的背段工艺，在晶片完成正面制程以及背孔、背金层及阻挡层等步骤之后，使用异丙醇浸润阻挡层表面，然后涂布光刻胶，对光刻胶进行泛曝光，控制泛曝光时间至背孔之外的光刻胶完全曝光且至少部分背孔之内的光刻胶未完全曝光，显影去除完全曝光的光刻胶，蚀刻去除裸露的阻挡层之后去除背孔之内余下的光刻胶，从而留下位于背孔之内的阻挡层。本发明利用IPA浸润阻挡层的方法，使光刻胶可以均匀的涂布进孔内，不需要光罩版，利用泛曝光时间控制曝光胶厚，确保蚀刻后阻挡层金属只会在背孔内存在，相对传统工艺结构减小器件接地电阻，同时减少烧结孔隙率，提高器件的可靠性能。