发明公开
- 专利标题: 硅碳负极材料及其制备方法
- 专利标题(英): Silicon-carbon negative electrode material and preparation method thereof
-
申请号: CN201910190313.0申请日: 2019-03-13
-
公开(公告)号: CN109920994A公开(公告)日: 2019-06-21
- 发明人: 刘兴稳 , 缪永华 , 薛驰 , 王海林 , 靳承铀 , 贺劲鑫
- 申请人: 江苏中天科技股份有限公司 , 中天新兴材料有限公司
- 申请人地址: 江苏省南通市如东县河口镇中天路1号
- 专利权人: 江苏中天科技股份有限公司,中天新兴材料有限公司
- 当前专利权人: 江苏中天科技股份有限公司,中天新兴材料有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省南通市如东县河口镇中天路1号
- 代理机构: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
- 代理商 刘丽华; 孙芬
- 主分类号: H01M4/36
- IPC分类号: H01M4/36 ; H01M4/583 ; H01M4/62 ; H01M4/38 ; H01M10/052
摘要:
本发明提供一种硅碳负极材料的制备方法,将SiOx、沥青和掺杂剂按比例混合,使得混料分散均匀;在惰性气氛下,将混合分散好的物料进行预包覆;在惰性气氛下,将预包覆好的物料升温并保温;冷却后,将得到的物料进行过筛分级在惰性气氛下,将分级后的物料高温热处理,冷却到室温后,得到硅碳负极材料。本发明工艺简单,成本低廉,非常易于工业化大生产,掺杂后硅碳材料在倍率以及循环性能等方面提升明显。