- 专利标题: 一种集成离子收集电极的场发射器件结构及其制备方法和应用
- 专利标题(英): Field emission device structure integrated with ion collection electrode, manufacturing method and application thereof
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申请号: CN201910234327.8申请日: 2019-03-26
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公开(公告)号: CN109935508A公开(公告)日: 2019-06-25
- 发明人: 佘峻聪 , 吴淼 , 黄一峰 , 邓少芝 , 许宁生 , 陈军
- 申请人: 中山大学
- 申请人地址: 广东省广州市海珠区新港西路135号
- 专利权人: 中山大学
- 当前专利权人: 中山大学
- 当前专利权人地址: 广东省广州市海珠区新港西路135号
- 代理机构: 广州粤高专利商标代理有限公司
- 代理商 陈卫
- 主分类号: H01J29/54
- IPC分类号: H01J29/54 ; H01J9/02
摘要:
本发明公开一种集成离子收集电极的场发射器件结构及其应用方法,所述器件结构包含由下往上依次层叠的阴极、第一绝缘层、电子发射控制电极、第二绝缘层和离子收集电极;所述离子收集电极为具有若干个微孔的平铺电极,微孔孔径为1.5~3.5μm;所述阴极、第一绝缘层、电子发射控制电极及第二绝缘层在微孔中向上凸起形成由内至外、由下往上依次套设的围合结构;所述微孔中的电子发射控制电极高出离子收集电极所在平面,形成火山口状栅孔,所述栅孔顶端与离子收集电极所在平面具有大于300nm的高度差;所述微孔中的阴极位于电子发射控制电极栅孔中,且不高于栅孔顶端;器件结构工作时,电子发射控制电极施加正偏压,离子收集电极施加负偏压。
公开/授权文献
- CN109935508B 一种集成离子收集电极的场发射器件结构及其制备方法和应用 公开/授权日:2020-03-27