• 专利标题: 一种集成离子收集电极的场发射器件结构及其制备方法和应用
  • 专利标题(英): Field emission device structure integrated with ion collection electrode, manufacturing method and application thereof
  • 申请号: CN201910234327.8
    申请日: 2019-03-26
  • 公开(公告)号: CN109935508A
    公开(公告)日: 2019-06-25
  • 发明人: 佘峻聪吴淼黄一峰邓少芝许宁生陈军
  • 申请人: 中山大学
  • 申请人地址: 广东省广州市海珠区新港西路135号
  • 专利权人: 中山大学
  • 当前专利权人: 中山大学
  • 当前专利权人地址: 广东省广州市海珠区新港西路135号
  • 代理机构: 广州粤高专利商标代理有限公司
  • 代理商 陈卫
  • 主分类号: H01J29/54
  • IPC分类号: H01J29/54 H01J9/02
一种集成离子收集电极的场发射器件结构及其制备方法和应用
摘要:
本发明公开一种集成离子收集电极的场发射器件结构及其应用方法,所述器件结构包含由下往上依次层叠的阴极、第一绝缘层、电子发射控制电极、第二绝缘层和离子收集电极;所述离子收集电极为具有若干个微孔的平铺电极,微孔孔径为1.5~3.5μm;所述阴极、第一绝缘层、电子发射控制电极及第二绝缘层在微孔中向上凸起形成由内至外、由下往上依次套设的围合结构;所述微孔中的电子发射控制电极高出离子收集电极所在平面,形成火山口状栅孔,所述栅孔顶端与离子收集电极所在平面具有大于300nm的高度差;所述微孔中的阴极位于电子发射控制电极栅孔中,且不高于栅孔顶端;器件结构工作时,电子发射控制电极施加正偏压,离子收集电极施加负偏压。
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