本发明公开了一种氮化物量子阱结构深紫外发光二极管，从下到上至少包括：N型半导体层、发光层、P型半导体层，发光层为由势垒层和势阱层交替堆叠形成的多量子阱结构，其改进之处在于：相邻势垒层和势阱层之间设置有InxAl1‑xN插入层，且InxAl1‑xN插入层的能隙大于势阱层的能隙。本发明通过利用InxAl1‑xN插入层结构设计，降低TM主导的跃迁能级的电子‑空穴交叠积分，显著地增强TE模的自发辐射效率，提高c面深紫外LED的光抽取效率。