Invention Grant
- Patent Title: 一种超疏水半球阵列的复制加工工艺
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Application No.: CN201910373519.7Application Date: 2019-05-07
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Publication No.: CN110028037BPublication Date: 2021-08-10
- Inventor: 邢英杰 , 刘俊锴 , 黄柳 , 宋金龙 , 刘新
- Applicant: 大连理工大学
- Applicant Address: 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
- Assignee: 大连理工大学
- Current Assignee: 大连理工大学
- Current Assignee Address: 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
- Agency: 大连理工大学专利中心
- Agent 温福雪; 侯明远
- Main IPC: B81C1/00
- IPC: B81C1/00
Abstract:
本发明属于微细加工技术领域,一种超疏水半球阵列的复制加工工艺,预处理:对半球微坑阵列的金属模具进行机械抛光,清洗,吹干;微纳结构构建:对模具表面进行微纳米结构构建,超声清洗,吹干;复制加工:利用环氧树脂E51或PDMS模块胶对金属模具进行浇注,并经真空环境下脱泡、加热固化处理,或使用PP、PC、PE或PTFE板材于模具上热压处理,冷却至室温后,徒手脱模得到聚合物半球阵列;超疏水处理:将得到的聚合物半球阵列置于质量分数1%的氟硅烷乙醇溶液中修饰,取出烘干,即得到超疏水半球阵列。本发明方法具有成本低、易操作、可选材料种类多、可徒手脱模、模具可重复使用等优点,可有效丰富构建微小阵列结构的技术手段。
Public/Granted literature
- CN110028037A 一种超疏水半球阵列的复制加工工艺 Public/Granted day:2019-07-19
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