一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括器件面，所述器件面包括器件区和标记区；在所述器件区形成第一器件结构、第二器件结构，并在所述标记区形成标记结构，所述标记结构包括第一旋转中心，所述标记结构绕垂直于所述器件面、且经过所述第一旋转中心的直线旋转第一角度后，所形成的结构与所述标记结构重合，所述第一角度大于零小于或等于180度；在所述器件区上形成图形化的第一图形层，并在所述标记区形成测试标记。所述形成方法能够改善半导体结构的性能。