发明授权
- 专利标题： 基于互补型场效晶体管的电路
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申请号： CN201811503786.3申请日： 2018-12-10
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公开(公告)号： CN110034116B公开(公告)日： 2023-06-20
- 发明人: B·C·保罗 , 谢瑞龙 , 帕尼特·哈瑞汉德拉·苏瓦纳
- 申请人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
- 当前专利权人： 格芯(美国)集成电路科技有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京戈程知识产权代理有限公司
- 代理商 程伟; 王锦阳
- 主分类号： H01L27/092
- IPC分类号： H01L27/092 ; H01L29/06 ; H01L29/41 ; H01L21/8238
摘要：
本发明涉及基于互补型场效晶体管的电路，提供包括多个纳米片场效晶体管的结构和电路以及此类结构和电路的形成方法。互补式场效晶体管包括具有源极/漏极区的第一纳米片晶体管及具有源极/漏极区的第二纳米片晶体管，第二纳米片晶体管的源极/漏极区堆叠在第一纳米片晶体管的源极/漏极区上方。接触部垂直延展以连接互补式场效晶体管的第一纳米片晶体管的源极/漏极区及互补式场效晶体管的第二纳米片晶体管的源极/漏极区。
公开/授权文献
- CN110034116A 基于互补型场效晶体管的电路 公开/授权日：2019-07-19
IPC分类:
