发明授权
- 专利标题： 一种掩膜存储器的读出结构
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申请号： CN201910279276.0申请日： 2019-04-09
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公开(公告)号： CN110060724B公开(公告)日： 2021-01-01
- 发明人: 居水荣
- 申请人： 江苏东海半导体科技有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市新吴区硕放中通东路88号
- 专利权人： 江苏东海半导体科技有限公司
- 当前专利权人： 江苏东海半导体股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市新吴区硕放中通东路88号
- 代理机构： 苏州市中南伟业知识产权代理事务所
- 代理商 秦昌辉
- 主分类号： G11C17/12
- IPC分类号： G11C17/12 ; G11C7/10
摘要：
本发明涉及一种掩膜存储器的读出结构，通过采用合理的电路结构，使得在2.2～5V这一ROM工作电源电压范围内，到达存储阵列中相邻BN+的电压都不超过1V，并且该电压与ROM加工工艺、ROM的版图布局等因素都没有关系，确保存储阵列中的N管不会被穿通。本发明的掩膜存储器的读出结构读取数据时，读取安全、准确、速度快且功耗低。
公开/授权文献
- CN110060724A 一种掩膜存储器的读出结构 公开/授权日：2019-07-26