本发明提供一种3D NAND闪存及其制备方法，3D NAND闪存包括：半导体衬底；叠层结构，位于半导体衬底上，叠层结构包括交替叠置的栅间介质层及栅极层，栅间介质层包括交替叠置的第一漏电抑制层及第二漏电抑制层；沟道通孔，位于叠层结构内；功能侧壁，位于沟道通孔的侧壁表面；沟道层，位于沟道通孔内，且位于功能侧壁的表面。本发明3D NAND闪存中的栅间介质层为至少包括交替叠置的第一漏电抑制层及第二漏电抑制层，可以有效减小相邻栅极层之间的漏电，提高相邻栅极层之间的栅间介质层的抗击穿能力，降低相邻栅极层之间的耦合效应。