发明公开
- 专利标题: 一种高镍系三元正极前驱体的制备方法
- 专利标题(英): Method for preparing high nickel-based ternary positive electrode precursor
-
申请号: CN201910367359.5申请日: 2019-04-30
-
公开(公告)号: CN110112386A公开(公告)日: 2019-08-09
- 发明人: 施利毅 , 赵尹 , 梁华丽 , 袁帅 , 王竹仪 , 张美红 , 王漪
- 申请人: 上海大学
- 申请人地址: 上海市宝山区上大路99号
- 专利权人: 上海大学
- 当前专利权人: 上海大学
- 当前专利权人地址: 上海市宝山区上大路99号
- 代理机构: 北京众达德权知识产权代理有限公司
- 代理商 刘杰
- 主分类号: H01M4/36
- IPC分类号: H01M4/36 ; H01M4/50 ; H01M4/52 ; H01M10/0525
摘要:
本发明涉及一种高镍系三元正极前驱体的制备方法,本发明方法包括:以镍盐、钴盐和锰盐为原料,配制获得第一溶液;配制碳酸钠溶液,向所述碳酸钠溶液中加入表面活性剂混合均匀,获得第二溶液;将所述第一溶液和所述第二溶液进行合成反应,获得合成反应产物,将所述合成反应产物进行过滤、洗涤和干燥,获得高镍系三元正极前驱体;所述合成反应在微通道反应器中进行。
公开/授权文献
- CN110112386B 一种高镍系三元正极前驱体的制备方法 公开/授权日:2022-04-05