发明授权
- 专利标题: 一种MEMS结构的制备方法
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申请号: CN201910415713.7申请日: 2019-05-18
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公开(公告)号: CN110113703B公开(公告)日: 2021-01-12
- 发明人: 刘端
- 申请人: 安徽奥飞声学科技有限公司
- 申请人地址: 安徽省合肥市高新区习友路3333号中国(合肥)国际智能语音产业园研发中心楼611-91室
- 专利权人: 安徽奥飞声学科技有限公司
- 当前专利权人: 安徽奥飞声学科技有限公司
- 当前专利权人地址: 安徽省合肥市高新区习友路3333号中国(合肥)国际智能语音产业园研发中心楼611-91室
- 主分类号: H04R31/00
- IPC分类号: H04R31/00
摘要:
本申请公开了一种制造MEMS(微机电系统)结构的方法,包括:在衬底的正面上的外围区域蚀刻形成多条平行的第二凹槽,在衬底上沉积形成压电复合振动层,其中,在第二凹槽的底部和侧壁上形成的压电复合振动层构成第一波纹部分;在压电复合振动层的中间区域沉积形成质量块;在压电复合振动层的外部,在露出的衬底上蚀刻形成第一凹槽;蚀刻衬底的背面以形成空腔,其中,第一凹槽邻近设置在空腔的外围,压电复合振动层形成在空腔正上方,其中,位于第一凹槽与空腔之间的部分的衬底支撑压电复合振动层。该方法制造的MEMS结构提高了压电复合振动层在声压作用下的位移和形变,降低了残余应力,进而提高了MEMS结构的灵敏度。
公开/授权文献
- CN110113703A 一种MEMS结构的制备方法 公开/授权日:2019-08-09