发明授权
- 专利标题: 固体电解电容器的制造方法
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申请号: CN201780081160.5申请日: 2017-09-29
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公开(公告)号: CN110121757B公开(公告)日: 2021-09-14
- 发明人: 川本健 , 新美结加 , 川崎俊哉 , 涉谷义纪 , 小滨健
- 申请人: 昭和电工株式会社
- 申请人地址: 日本东京都
- 专利权人: 昭和电工株式会社
- 当前专利权人: 昭和电工株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京都
- 代理机构: 北京市中咨律师事务所
- 代理商 段承恩; 王磊
- 优先权: 2016-254979 20161228 JP
- 国际申请: PCT/JP2017/035431 2017.09.29
- 国际公布: WO2018/123179 JA 2018.07.05
- 进入国家日期: 2019-06-27
- 主分类号: H01G9/028
- IPC分类号: H01G9/028 ; C08G61/12 ; H01G9/00
摘要:
本发明涉及在具有微细孔的阀金属表面形成电介质被膜,在上述电介质被膜上形成包含导电性高分子的固体电解质层的固体电解电容器的制造方法,是在不使用氧化剂的情况下,通过下述方法形成上述包含导电性高分子的固体电解质层的方法:(i)使说明书所公开的通式(1)所示的化合物(A1)的至少1种在具有磺基的化合物(B)存在下聚合的方法,(ii)使通式(2)所示的化合物(A2)的至少1种聚合的方法,和(iii)使通式(1)所示的化合物(A1)的至少1种与通式(2)所示的化合物(A2)的至少1种共聚的方法。根据本发明,在具有微细孔的阀金属表面的电介质被膜上,能够不采用复杂的聚合工序、成膜工序和精制工序而简易地形成包含导电性高分子的固体电解质膜,能够制造低ESR、高容量达到率、低漏电流特性优异的固体电解电容器。
公开/授权文献
- CN110121757A 固体电解电容器的制造方法 公开/授权日:2019-08-13