- 专利标题: 一种含铈高强度无取向硅钢薄带及其制备方法
- 专利标题(英): Cerium-containing high-strength non-oriented silicon steel thin strip and preparing method thereof
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申请号: CN201910379352.5申请日: 2019-05-08
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公开(公告)号: CN110129671A公开(公告)日: 2019-08-16
- 发明人: 程朝阳 , 刘静 , 付兵 , 宋新莉 , 贾涓 , 卢海龙 , 余春雷
- 申请人: 武汉科技大学
- 申请人地址: 湖北省武汉市青山区和平大道947号
- 专利权人: 武汉科技大学
- 当前专利权人: 武汉科技大学
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市青山区和平大道947号
- 代理机构: 武汉科皓知识产权代理事务所
- 代理商 张火春
- 主分类号: C22C38/02
- IPC分类号: C22C38/02 ; C22C38/06 ; C22C38/04 ; C21D8/12
摘要:
本发明涉及一种含铈高强度无取向硅钢薄带及其制备方法。其技术方案是:所述含铈高强度无取向硅钢薄带的化学成分是:Si为3.0~3.5wt%,Al为0.5~1.0wt%,Mn为0.1~1.0wt%,Ce为0.01~0.03wt%,其余为Fe和不可避免的杂质;按所述含铈高强度无取向硅钢薄带的化学成分冶炼,在1400~1550℃条件下浇铸成板坯,将所述板坯在1200~1300℃条件下热轧至厚度为0.8~1.5mm的热轧板;再将所述热轧板在室温条件下冷轧至0.1~0.3mm,即得含铈无取向硅钢薄带;然后将所述含铈无取向硅钢薄带进行再结晶退火,即得含铈高强度无取向硅钢薄带。本发明具有工艺简单、生产周期短和制备成本低的特点,所制备的含铈高强度无取向硅钢薄带强度大、铁损低和磁感高。
公开/授权文献
- CN110129671B 一种含铈高强度无取向硅钢薄带及其制备方法 公开/授权日:2021-06-04