发明公开
CN110143599A 一种大孔容SiO2材料的制备新方法
无效 - 驳回
- 专利标题: 一种大孔容SiO2材料的制备新方法
- 专利标题(英): Novel preparation method of large-pore-volume SiO2 material
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申请号: CN201910276357.5申请日: 2019-04-08
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公开(公告)号: CN110143599A公开(公告)日: 2019-08-20
- 发明人: 陈丹丹 , 陈泽文 , 曹莹莹 , 王卉 , 邓兴宇 , 吴梦瑶
- 申请人: 杭州电子科技大学
- 申请人地址: 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
- 专利权人: 杭州电子科技大学
- 当前专利权人: 杭州电子科技大学
- 当前专利权人地址: 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
- 代理机构: 杭州君度专利代理事务所
- 代理商 朱亚冠
- 主分类号: C01B33/143
- IPC分类号: C01B33/143 ; C01B33/158
摘要:
本发明公开一种大孔容SiO2材料的制备新方法。该方法取Na2SiO3·9H2O与去离子水配制Na2SiO3溶液,边搅拌边向Na2SiO3·9H2O溶液中滴加HNO3至有胶状物析出;上述胶体在一定温度下老化一段时间;离心洗去胶体中的Na离子后,将所得产物置于一定浓度的铵盐溶液,浸泡一定时间后,取出胶体;利用喷雾干燥器,以一定的进风温度与喷射流量干燥胶体即可。本发明所采用的SiO2材料的制备过程中,通过酸碱中和反应制得硅凝胶后,进行老化处理以及铵盐活化,最终制得具备丰富的孔容且高比表面积的SiO2材料。此方法所得SiO2产率高。此法工艺流程简单,绿色环保,生产周期短。
IPC分类: