- 专利标题: ICP-OES法测定镉时铁的光谱干扰系数之数学模型的建立方法
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申请号: CN201910482423.4申请日: 2019-06-04
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公开(公告)号: CN110161017B公开(公告)日: 2022-08-23
- 发明人: 程龙军 , 吉飞 , 彭义华 , 米永红 , 彭娟 , 温炎燊
- 申请人: 深圳市环保科技集团股份有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市宝安区松岗街道碧头社区第三工业区工业大道18号A栋
- 专利权人: 深圳市环保科技集团股份有限公司
- 当前专利权人: 深圳市环保科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市宝安区松岗街道碧头社区第三工业区工业大道18号A栋
- 代理机构: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
- 代理商 彭辉剑; 饶婕
- 主分类号: G01N21/73
- IPC分类号: G01N21/73 ; G06F30/20 ; G06F111/10
摘要:
本发明提供一种ICP‑OES法测定镉时铁的光谱干扰系数之数学模型的建立方法,包括:配制多个含有镉和铁的混合标准溶液,其中镉的配制浓度为0.001~0.1mg/L,铁的配制浓度为1~1000mg/L;用ICP‑OES法测定所述混合标准溶液中镉的表观浓度,其中镉的检测波长为214.439nm;以镉的表观浓度除以配制浓度作为干扰系数;拟合所述干扰系数与镉的配制浓度和铁的配制浓度之间的关系,建立非线性曲面拟合方程并绘制三维拟合曲面图。本发明同时提供一种ICP‑OES法测定镉时铁的光谱干扰系数之数学模型的应用方法。
公开/授权文献
- CN110161017A ICP-OES法测定镉时铁的光谱干扰系数之数学模型的建立方法及应用方法 公开/授权日:2019-08-23