根据本发明，通过具有如下成分组成，即，以质量％计，含有C：0.0050％以下、Si：1.50％～4.00％、Al：0.500％以下、Mn：0.10％～5.00％、S：0.0200％以下、P：0.200％以下、N：0.0050％以下、O：0.0200％以下、以及各0.0010％～0.10％的Sb和/或Sn，剩余部分为Fe和不可避免的杂质，并使Ar3相变点为700℃以上，晶粒直径为80μm～200μm，维式硬度为140HV～230HV，能够提高磁通密度，减少铁损。