Invention Grant
- Patent Title: 一种基于非易失存储器的电阻测量方法
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Application No.: CN201910526712.XApplication Date: 2019-06-18
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Publication No.: CN110189790BPublication Date: 2021-04-09
- Inventor: 王一平 , 卢远程 , 任彦林 , 田野 , 冉晓红
- Applicant: 北京控制与电子技术研究所
- Applicant Address: 北京市西城区木樨地北里甲51号
- Assignee: 北京控制与电子技术研究所
- Current Assignee: 北京控制与电子技术研究所
- Current Assignee Address: 北京市西城区木樨地北里甲51号
- Agency: 中国航天科工集团公司专利中心
- Agent 张国虹
- Main IPC: G11C29/56
- IPC: G11C29/56 ; G11C29/50
Abstract:
本发明公开了一种基于非易失存储器的电阻测量方法,通过包括:恒流电流源电路(1)、模拟信号隔离电路(2)、电压跟随器电路(3)、模数转换电路(4)、DSP处理器电路(5)、非易失存储器电路(6)和高精度电阻箱(7)构建的基于非易失存储器的电阻测量系统实现。高精度电阻箱(7)和电阻测量模件完成电阻输入标定,电阻测量模件完成电阻测量。本发明消除了电路中各个模块的阻抗干扰与系统误差,极大的提高了电阻测量精度。
Public/Granted literature
- CN110189790A 一种基于非易失存储器的电阻测量方法 Public/Granted day:2019-08-30
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